XM在线交易资讯: 三星(SSNLF.US)亮出3D内存“技术核弹”：400层V-NAND与zHBM概念首秀，直指AI内存王座

当地时间周二，三星电子(SSNLF.US)在美国加州圣克拉拉举行的“未来内存与存储”大会上，集中展示了面向人工智能（885728）(AI)时代的下一代内存技术，包括超过400层的V10BV-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM以及zNAND-O架构，力图在近1万亿美元规模的存储芯片（886042）市场中巩固领先地位，并加速追赶在AI内存领域先发制人的SK海力士（SKHY）与美光科技（MU）(MU.US)。

作为全球最大内存芯片制造商，三星在大会上首次展示其V10Bonding V-NAND(BV-NAND)原型产品。该芯片采用全新的晶圆键合架构，堆叠层数超过400层，相较前代V9NAND，存储密度提升约58%，同时读写速度与输入输出性能均得到改善。随着AI工作负载从训练大语言模型扩展到实时生成用户查询答案，对高容量、高能效NAND闪存的需求快速增长，三星希望凭借该技术更好满足数据密集型AI系统的存储需求。

在更前沿的领域，三星展示了其称之为行业首款zHBM与zNAND-O架构的概念模型，描绘出3D堆叠内存的未来路线图。

与目前置于AI处理器旁的传统HBM不同，zHBM将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器上方，大幅缩短数据搬运距离。三星表示，与下一代HBM5相比，这套系统可实现约8倍的性能提升，内存密度提高10倍以上，能效提高三倍，热阻降低一半以上，并支持定制化设计。不过，公司尚未给出HBM5及zHBM的具体量产时间表，计划于今年下半年优先扩大HBM4的生产规模。同时亮相的zNAND-O则基于V-NAND技术，专为实时、数据密集型的AI应用场景优化。

三星的技术攻势正值存储芯片（886042）巨头之间围绕AI数据中心订单展开激烈争夺之际。SK海力士（SKHY）凭借早期布局在AI内存市场中占据了先发优势，美光同样积极抢单。三星此次突出“端到端AI基础设施供应商”的定位，不仅在内存硬件上推进，还同步披露了下一代存内计算芯片和高容量企业级存储的产品路线图。

从需求端看，虽然部分投资者担忧中国智能手机市场疲软可能抑制长期内存需求，但分析师普遍看好AI需求的强劲动能。三星上周披露，与客户签订的长期协议最终有望覆盖公司内存销售额的60%至70%。

花旗（C）分析师也在上月的报告中指出，尽管终端市场存在走软担忧，目前DRAM与NAND全供应链的库存仍显著低于历史水平，这将为行业提供缓冲，并强化AI驱动的增长预期。